IMW120R007M1HXKSA1
- 型號描述:
- N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
SIC DISCRETE
- 型號:
- IMW120R007M1HXKSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$2337.6925 |
| 30+ | NT$2054.2783 |
| 120+ | NT$1912.6071 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$2337.6925數量:
合計:NT$2338
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-247-3
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 225A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 9.9mOhm @ 108A, 18V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 750W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.2V @ 47mA
- Supplier Device Package
- PG-TO247-3
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 18V
- Vgs (Max)
- +20V, -5V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 289 nC @ 18 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 9170 pF @ 800 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- DS1245AB-70+
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