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IMDQ65R007M2HXUMA1

型號描述:
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
型號:
IMDQ65R007M2HXUMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
750
1+NT$1166.191
10+NT$889.522
100+NT$853.034
500+NT$796.708
750+NT$796.708
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$1166.191 數量:

合計: NT$1166

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
196A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 29.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
179 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6359 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
937W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HDSOP-22-1
Package / Case
22-PowerBSOP Module
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