IMBG120R053M2HXTMA1
- 型號描述:
-
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 205W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
SICFET N-CH 1200V 41A TO263
- 型號:
- IMBG120R053M2HXTMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$341.851 |
| 10+ | NT$233.309 |
| 50+ | NT$186.81 |
| 100+ | NT$171.854 |
| 500+ | NT$171.052 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$341.851
數量:
合計: NT$342
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 41A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.1V @ 4.1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 30 nC @ 18 V
- Vgs (Max)
- +23V, -10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1010 pF @ 800 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 205W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-TO263-7-12
- Package / Case
- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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