IGT65R055D2ATMA1
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 31A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
- 型號:
- IGT65R055D2ATMA1
- 品牌:
- Infineon
- 交期:
- 6-10工作天
- 原廠包裝量:
- 1
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$425.525 |
| 10+ | NT$382.72 |
| 100+ | NT$353.091 |
| 500+ | NT$327.558 |
| 1000+ | NT$290.639 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$425.525
數量:
合計: NT$426
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 31A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 66mOhm @ 7.9A
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1.6V @ 2.6mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 4.7 nC @ 3 V
- Vgs (Max)
- -10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 340 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 106W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-HSOF-8-3
- Package / Case
- 8-PowerSFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
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