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IGT65R055D2ATMA1

型號描述:
N-Channel 650 V 31A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
GANFET N-CH 650V 31A 8PSFN
型號:
IGT65R055D2ATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$268.876
10+NT$180.986
50+NT$143.4
100+NT$131.306
500+NT$124.2
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$268.876 數量:

合計: NT$269

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 7.9A
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.7 nC @ 3 V
Vgs (Max)
-10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
340 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
106W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-3
Package / Case
8-PowerSFN
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