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GS66508BMRXUSA1

型號描述:
N-Channel 650 V 30A (Tc) Surface Mount Die
GS66508B-MR
型號:
GS66508BMRXUSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
250+NT$419.955
起訂量：250 倍增量：1
價格: NT$419.955 數量:

合計: NT$104989

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 6 V
Vgs (Max)
+7V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
242 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
Die
Package / Case
Die
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