GS66502B-MR
- 型號描述:
- 氮化鎵場效應管 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor
- 型號:
- GS66502B-MR
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 250
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$389.6613 |
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價格:
NT$389.6613
數量:
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- LT3029EMSE#TRPBF
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- HCPL-4502-500E
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