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BSS169IXTSA1

型號描述:
N-Channel, Depletion Mode 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
型號:
BSS169IXTSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$12.017
10+NT$7.416
100+NT$4.656
500+NT$3.456
1000+NT$3.068
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$12.017 數量:

合計: NT$12

FET Type
N-Channel, Depletion Mode
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.1 nC @ 7 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
51 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
360mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT-23-3
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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