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BSM200GB120DN2HOSA1

型號描述:
IGBT Module Half Bridge 1200 V 290 A 1400 W Chassis Mount Module
型號:
BSM200GB120DN2HOSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
6-9工作天
原廠包裝量:
1
2+NT$18557.9756
25+NT$18001.2506
100+NT$17444.5255
500+NT$16887.8004
1000+NT$16331.0754
起訂量：2 倍增量：1
價格: NT$18557.9756 數量:

合計: NT$37116

Packaging
Tray
Package / Case
Module
Mounting Type
Chassis Mount
Input
Standard
Configuration
Half Bridge
Operating Temperature
150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor
No
Supplier Device Package
Module
IGBT Type
-
Current - Collector (Ic) (Max)
290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Power - Max
1400 W
Current - Collector Cutoff (Max)
4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
13 nF @ 25 V
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