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BSC0910NDIATMA1

型號描述:
型號:
BSC0910NDIATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
6-9工作天
原廠包裝量:
1
1+NT$49.087
10+NT$45.871
100+NT$43.825
500+NT$43.448
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$49.087 數量:

合計: NT$49

Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 12V
Power - Max
1W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TISON-8
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