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BSB104N08NP3GXUMA1

型號描述:
N-Channel 80 V 13A (Ta), 50A (Tc) 2.8W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2-6
MOSFET IFX FET > 60-80V
型號:
BSB104N08NP3GXUMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
5000
5000+NT$20.263
10000+NT$19.838
起訂量：5000 倍增量：5000
價格: NT$20.263 數量:

合計: NT$101315

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
MG-WDSON-2-6
Package / Case
DirectFET™ Isometric MP
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