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AIMBG75R033M2HXTMA1

型號描述:
碳化矽MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
型號:
AIMBG75R033M2HXTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000
1+NT$468.318
10+NT$326.264
100+NT$295.444
500+NT$263.562
1000+NT$245.85
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$468.318 數量:

合計: NT$468

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
750 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 27A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 5.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1299 pF @ 500 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
189W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-7-12
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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