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AIMBG120R060M1XTMA1

型號描述:
N-Channel 1200 V 38A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
SICFET N-CH 1200V 38A TO-263
型號:
AIMBG120R060M1XTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$382.236
10+NT$263.314
50+NT$212.38
100+NT$201.83
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$382.236 數量:

合計: NT$382

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 13A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.1V @ 4.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
202W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-7-12
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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