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| 300+ | NT$188.395 |
| 510+ | NT$174.636 |
起訂量：300
倍增量：30
價格:
NT$188.395
數量:
合計: NT$56518
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 250 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 110A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 24mOhm @ 55A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 3mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 157 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 9400 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 694W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-247AD (IXFH)
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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