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| 30+ | NT$178.068 |
| 60+ | NT$168.065 |
| 120+ | NT$158.061 |
| 240+ | NT$142.722 |
| 720+ | NT$137.386 |
起訂量：30
倍增量：1
價格:
NT$178.068
數量:
合計: NT$5342
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 800 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 17A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 290mOhm @ 11A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3.9V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 177 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2320 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 227W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO247-3-1
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
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