- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 30+ | NT$120.046 |
| 90+ | NT$112.71 |
| 150+ | NT$106.041 |
| 240+ | NT$96.037 |
| 720+ | NT$92.702 |
起訂量：30
倍增量：1
價格:
NT$120.046
數量:
合計: NT$3601
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 800 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 11A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 450mOhm @ 7.1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3.9V @ 680µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 85 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1600 pF @ 100 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 156W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO247-3-1
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
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