GD60MPS06H
- 型號描述:
-
Diode 650 V 82A Through Hole TO-247-2
DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
- 型號:
- GD60MPS06H
- 品牌:
- GeneSiC Semiconductor
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$354.6806 |
| 10+ | NT$318.9722 |
| 25+ | NT$305.9249 |
| 100+ | NT$287.384 |
| 250+ | NT$275.3667 |
| 500+ | NT$266.7836 |
| 1000+ | NT$258.5436 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$354.6806
數量:
合計: NT$355
- Technology
- SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
- 650 V
- Current - Average Rectified (Io)
- 82A
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.8 V @ 60 A
- Speed
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Reverse Recovery Time (trr)
- 0 ns
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 10 µA @ 650 V
- Capacitance @ Vr, F
- 1463pF @ 1V, 1MHz
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- TO-247-2
- Supplier Device Package
- TO-247-2
- Operating Temperature - Junction
- -55°C ~ 175°C
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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