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HUF76609D3S

型號描述:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
型號:
HUF76609D3S
品牌:
Fairchild Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
519+NT$19.914
起訂量：519 倍增量：1
價格: NT$19.914 數量:

合計: NT$10335

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
425 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
49W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252 (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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