FDR836P
- 型號描述:
-
P-Channel 20 V 6.1A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SuperSOT?-8
P-CHANNEL MOSFET
- 型號:
- FDR836P
- 品牌:
- Fairchild Semiconductor
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- FET Type
- P-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 20 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 6.1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 30mOhm @ 6.1A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 44 nC @ 4.5 V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2200 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 900mW (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- SuperSOT™-8
- Package / Case
- 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
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