FDP100N10
- 型號描述:
-
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
- 型號:
- FDP100N10
- 品牌:
- Fairchild Semiconductor
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- Packaging
- Bulk
- Package / Case
- TO-220-3
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 75A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 10mOhm @ 75A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 208W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Supplier Device Package
- TO-220-3
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 100 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 7300 pF @ 25 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
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