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首頁 > Diodes Incorporated代理商 > DMWSH120H90SCT7
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DMWSH120H90SCT7

型號描述:
碳化矽MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
型號:
DMWSH120H90SCT7
品牌:
Diodes Incorporated
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
50
1+NT$364.523
10+NT$257.894
100+NT$208.299
500+NT$196.963
1000+NT$183.502
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$364.523 數量:

合計: NT$365

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54.6 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1078 pF @ 1000 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
197W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263-7
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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