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| 3000+ | NT$16.252 |
| 6000+ | NT$15.571 |
| 12000+ | NT$15.478 |
| 24000+ | NT$15.405 |
| 48000+ | NT$15.295 |
起訂量：3000
倍增量：1
價格:
NT$16.252
數量:
合計: NT$48756
- FET Type
- P-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 7.7A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 25mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 53.1 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2569 pF @ 30 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 1W (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 155°C (TJ)
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- POWERDI3333-8
- Package / Case
- 8-PowerVDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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