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DMN2009USS-13

型號描述:
N-Channel 20 V 12.1A (Ta) 1.4W Surface Mount 8-SO
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
型號:
DMN2009USS-13
品牌:
Diodes Incorporated
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500
1+NT$40.03
10+NT$21.574
100+NT$16.048
2500+NT$16.048
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$40.03 數量:

合計: NT$40

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1706 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.4W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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