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首頁 > Diodes Incorporated代理商 > DMN10H170SFG-13
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DMN10H170SFG-13

型號描述:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
型號:
DMN10H170SFG-13
品牌:
Diodes Incorporated
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$15.941
10+NT$9.317
100+NT$8.006
500+NT$7.652
1000+NT$7.333
3000+NT$6.766
6000+NT$6.554
9000+NT$6.447
24000+NT$6.376
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$15.941 數量:

合計: NT$16

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
122mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870.7 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
940mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
POWERDI3333-8
Package / Case
8-PowerVDFN
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