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DMG4800LK3-13

型號描述:
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
型號:
DMG4800LK3-13
品牌:
Diodes Incorporated
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500
1+NT$29.323
10+NT$18.167
100+NT$11.797
500+NT$9.033
1000+NT$8.157
2500+NT$6.943
5000+NT$6.337
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$29.323 數量:

合計: NT$29

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
798 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.71W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252-3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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