- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 100 mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 50 V
- Resistors Included
- R1 and R2
- Resistor - Base (R1)
- 10 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
- 10 kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 100 @ 50mA, 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 300mV @ 10mA, 70mA
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 1µA
- Frequency - Transition
- 250 MHz
- Power - Max
- 250 mW
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 3-UFDFN
- Supplier Device Package
- X1-DFN1006-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
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