- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuration
- 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature
- -
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 50V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 310mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.6Ohm @ 200mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 0.8nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 22pF @ 25V
- Power - Max
- 330mW
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Supplier Device Package
- SOT-363
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
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