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| 1+ | NT$50.658 |
| 10+ | NT$23.628 |
| 100+ | NT$20.972 |
| 500+ | NT$20.015 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$50.658
數量:
合計: NT$51
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 120mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.6V, 5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 30Ohm @ 100mA, 5V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- -
- Vgs (Max)
- ±20V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 500mW (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-92
- Package / Case
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- ADN4624BRNZ
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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