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| 1+ | NT$7.745 |
| 300+ | NT$6.082 |
| 500+ | NT$5.614 |
| 1000+ | NT$5.25 |
| 4000+ | NT$5.042 |
| 5000+ | NT$4.99 |
| 30000+ | NT$4.938 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$7.745
數量:
合計: NT$8
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 750mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 460mOhm @ 200mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 950mV @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 1.6 nC @ 4.5 V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 64.3 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 450mW (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- SOT-23-3
- Package / Case
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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