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| 3000+ | NT$9.244 |
| 6000+ | NT$8.717 |
| 9000+ | NT$8.183 |
| 15000+ | NT$7.396 |
| 21000+ | NT$7.129 |
起訂量：3000
倍增量：1
價格:
NT$9.244
數量:
合計: NT$27732
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 12 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 9.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.2V, 2.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 800mV @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 50.6 nC @ 8 V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2426 pF @ 10 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 680mW (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- SC-59-3
- Package / Case
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- ADN4624BRNZ
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- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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