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| 1+ | NT$7.661 |
| 10+ | NT$7.633 |
| 25+ | NT$7.605 |
| 100+ | NT$7.582 |
| 250+ | NT$7.554 |
| 500+ | NT$7.526 |
| 1000+ | NT$7.498 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$7.661
數量:
合計: NT$8
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 360mOhm @ 2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 10 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 185 pF @ 50 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 3.1W (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- SOT-223-4
- Package / Case
- TO-261-4, TO-261AA
- 精選品牌
- 熱銷產品
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