NTH4L013N120M3S
- 型號描述:
-
N-Channel 1200 V 151A (Tc) 682W (Tc) Through Hole TO-247-4
DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
- 型號:
- NTH4L013N120M3S
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$1076.1128 |
| 10+ | NT$874.4697 |
| 450+ | NT$813.8162 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$1076.1128
數量:
合計: NT$1076
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-247-4
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 151A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 20mOhm @ 75A, 18V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 682W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.4V @ 37mA
- Supplier Device Package
- TO-247-4
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V
- Vgs (Max)
- +22V, -10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 254 nC @ 18 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 5813 pF @ 800 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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