- FET Type
- P-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 500 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6Ohm @ 1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 27 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1183 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 75W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-220
- Package / Case
- TO-220-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
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