MJD112-1G
- 型號描述:
-
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole IPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
- 型號:
- MJD112-1G
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$52.864 |
| 75+ | NT$23.4452 |
| 150+ | NT$20.9827 |
| 525+ | NT$17.4749 |
| 1050+ | NT$15.9553 |
| 2025+ | NT$14.7391 |
| 5025+ | NT$13.3541 |
| 10050+ | NT$12.766 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$52.864
數量:
合計: NT$53
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
- Mounting Type
- Through Hole
- Transistor Type
- NPN - Darlington
- Operating Temperature
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 3V @ 40mA, 4A
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 20µA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 1000 @ 2A, 3V
- Frequency - Transition
- 25MHz
- Supplier Device Package
- IPAK
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 2 A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 100 V
- Power - Max
- 1.75 W
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