FDS86267P
- 型號描述:
-
P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
- 型號:
- FDS86267P
- 品牌:
- onsemi
- 交期:
- 10-18工作天
- 原廠包裝量:
- 2500
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 2500+ | NT$36.6282 |
| 5000+ | NT$34.648 |
| 10000+ | NT$33.7366 |
| 20000+ | NT$32.8711 |
| 40000+ | NT$32.0498 |
起訂量：2500
倍增量：1
價格:
NT$36.6282
數量:
合計: NT$91571
- FET Type
- P-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 150 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 2.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 255mOhm @ 2.2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 16 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±25V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1130 pF @ 75 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 1W (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- 8-SOIC
- Package / Case
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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