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2N7000

型號描述:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 ohm
型號:
2N7000
品牌:
onsemi
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
10000
1+NT$16.695
10+NT$11.3526
100+NT$5.8099
500+NT$5.3424
1000+NT$4.708
2500+NT$4.4409
5000+NT$4.2071
10000+NT$3.9734
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$16.695 數量:

合計: NT$17

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
400mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-92-3
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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