- Packaging
- Bulk
- Package / Case
- Module
- Mounting Type
- Chassis Mount
- Configuration
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- Operating Temperature
- -40°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- Silicon Carbide (SiC)
- Power - Max
- -
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200V (1.2kV)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 468A (Tc)
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 29700pF @ 800V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4.25mOhm @ 400A, 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 1040nC @ 15V
- FET Feature
- -
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3.6V @ 106mA
- Supplier Device Package
- Module
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