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SIS890DN-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK? 1212-8
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
型號:
SIS890DN-T1-GE3
品牌:
Vishay Semiconductors
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$44.604
10+NT$35.6832
100+NT$27.6875
500+NT$21.9716
1000+NT$20.1214
3000+NT$17.7425
6000+NT$16.7182
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$44.604 數量:

合計: NT$45

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
802 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
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