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SI7792DP-T1-GE3

型號描述:
N-Channel 30 V 40.6A (Ta), 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8
MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK
型號:
SI7792DP-T1-GE3
品牌:
Vishay Siliconix
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$0 數量:

合計: NT$0

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40.6A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature
Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4735 pF @ 15 V
Qualification
-
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