ULN2804APG,N
- 型號描述:
-
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 760mW Through Hole 18-DIP
TRANS 8NPN DARL 50V 500MA 18DIP
- 型號:
- ULN2804APG,N
- 品牌:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- 18-DIP (0.300", 7.62mm)
- Mounting Type
- Through Hole
- Transistor Type
- 8 NPN Darlington
- Operating Temperature
- -40°C ~ 85°C (TA)
- Power - Max
- 760mW
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 500mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 1.6V @ 500µA, 350mA
- Current - Collector Cutoff (Max)
- -
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 1000 @ 350mA, 2V
- Frequency - Transition
- -
- Supplier Device Package
- 18-DIP
- Grade
- -
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
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