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TPW1R306PL,L1Q

型號描述:
N-Channel 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
型號:
TPW1R306PL,L1Q
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$112.6664
10+NT$75.8268
100+NT$50.8882
500+NT$48.5292
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$112.6664 數量:

合計: NT$113

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-PowerVDFN
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
175°C
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.29mOhm @ 50A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Supplier Device Package
8-DSOP Advance
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8100 pF @ 30 V
Qualification
-
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