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TK10A60D(STA4,Q,M)

型號描述:
N-Channel 600 V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
型號:
TK10A60D(STA4,Q,M)
品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$0 數量:

合計: NT$0

Packaging
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Supplier Device Package
TO-220SIS
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Qualification
-
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