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GP3T040A120H

型號描述:
碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
型號:
GP3T040A120H
品牌:
SemiQ
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
30
1+NT$222.6896
10+NT$181.72
120+NT$151.3232
510+NT$133.4816
1020+NT$120.2656
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$222.6896 數量:

合計: NT$223

Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 18V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Supplier Device Package
TO-247-4
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2803 pF @ 1000 V
Qualification
-
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