GCMS016C120S1-E1
- 型號描述:
- MOSFET模組 Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
- 型號:
- GCMS016C120S1-E1
- 品牌:
- SemiQ
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 30
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$1062.236 |
| 10+ | NT$943.9528 |
| 120+ | NT$825.6696 |
| 270+ | NT$770.4928 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$1062.236
數量:
合計: NT$1062
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- SOT-227-4, miniBLOC
- Mounting Type
- Chassis Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 103A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 23mOhm @ 50A, 18V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 303W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 20mA
- Supplier Device Package
- SOT-227
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V
- Vgs (Max)
- +22V, -8V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 249 nC @ 18 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 6796 pF @ 1000 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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