IAUMN04S7N006GAUMA1
- 型號描述:
- MOSFET 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
- 型號:
- IAUMN04S7N006GAUMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 2000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$124.8912 |
| 10+ | NT$81.9392 |
| 100+ | NT$60.1328 |
| 500+ | NT$53.5248 |
| 1000+ | NT$50.5512 |
| 2000+ | NT$42.952 |
| 4000+ | NT$42.6216 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$124.8912
數量:
合計: NT$125
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 40 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 53A (Ta), 500A (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 7V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 0.6mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3V @ 105µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 134 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 9224 pF @ 20 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 193W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-HSOG-4-1
- Package / Case
- 4-PowerSFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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