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2N7000TA

型號描述:
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
型號:
2N7000TA
品牌:
Samsung Semiconductor
交期:
7-10工作天
原廠包裝量:
1
1+NT$45.1225
25+NT$36.5814
50+NT$28.9267
100+NT$11.3209
500+NT$7.4694
1000+NT$5.741
2000+NT$2.6469
4000+NT$2.4817
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$45.1225 數量:

合計: NT$45

Packaging
Cut Tape (CT)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Supplier Device Package
TO-92-3
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Qualification
-
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