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STB33N65M2

型號描述:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
型號:
STB33N65M2
品牌:
STMicroelectronics
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000+NT$66.7012
起訂量：1000 倍增量：1
價格: NT$66.7012 數量:

合計: NT$66701

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 12A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1790 pF @ 100 V
Qualification
-
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