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SCT027H65G3AG

型號描述:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
型號:
SCT027H65G3AG
品牌:
STMicroelectronics
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$503.3585
10+NT$354.6844
100+NT$321.3161
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$503.3585 數量:

合計: NT$503

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39.3mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48.6 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+18V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1277 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
H2PAK-7
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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