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IRFD110PBF

型號描述:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
型號:
IRFD110PBF
品牌:
SILICONIX (VISHAY)
交期:
8-12工作天
原廠包裝量:
100
1+NT$26.089
75+NT$25.0019
250+NT$24.1323
1000+NT$23.0452
3000+NT$21.306
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$26.089 數量:

合計: NT$26

Packaging
Tube
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
Qualification
-
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