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RQ3E180BNTB

型號描述:
N-Channel 30 V 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
型號:
RQ3E180BNTB
品牌:
Rohm Semiconductor
交期:
6-9工作天
原廠包裝量:
1
163+NT$23.4698
250+NT$22.5317
500+NT$21.7197
起訂量：163 倍增量：1
價格: NT$23.4698 數量:

合計: NT$3826

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-PowerVDFN
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 18A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Supplier Device Package
8-HSMT (3.2x3)
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 15 V
Qualification
-
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